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JANTXV1N5614UL

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JANTXV1N5614UL
深圳市金嘉旭贸易有限公司
深圳市金嘉旭贸易有限公司
联系人：金
电话：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
100
SEN
N/A
18+
-
进口原装特价出售

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JANTXV1N5614UL 技术参数

JANTXV1N5614 功能描述:Diode Standard 200V 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/427 包装:散装零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:2μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:A，轴向供应商器件封装:* 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C 标准包装:1 JANTXV1N5613 功能描述:TVS DIODE 175VWM 265VC G-PKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/434 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:175V 电压 - 击穿（最小值）:191V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:265V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.7A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:G，轴向标准包装:1 JANTXV1N5612 功能描述:TVS DIODE 49VWM 78.5VC G-PKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/434 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:49V 电压 - 击穿（最小值）:54V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:78.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:19A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:G，轴向标准包装:1 JANTXV1N5611 功能描述:TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC G-PKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/434 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:40.3V 电压 - 击穿（最小值）:43.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:63.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:24A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:G，轴向标准包装:1 JANTXV1N5558 功能描述:TVS DIODE 175VWM 265VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:175V 电压 - 击穿（最小值）:191V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:265V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.7A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13（DO-202AA）标准包装:1 JANTXV1N5619 JANTXV1N5619US JANTXV1N5620 JANTXV1N5621 JANTXV1N5621US JANTXV1N5622 JANTXV1N5622US JANTXV1N5623 JANTXV1N5623US JANTXV1N5630A JANTXV1N5632A JANTXV1N5637A JANTXV1N5638A JANTXV1N5639A JANTXV1N5641A JANTXV1N5642A JANTXV1N5644A JANTXV1N5645A