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JANTXV1N6048A

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TVS SGL BI-DIR 20V 1.5KW 2PIN DO-13 - Bulk
JANTXV1N6048A 技术参数
  • JANTXV1N6047A 功能描述:TVS DIODE 18VWM 30.6VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/507 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):18V 电压 - 击穿(最小值):20.9V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:30.6V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):49A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13(DO-202AA) 标准包装:1 JANTXV1N6041A 功能描述:TVS DIODE 10VWM 16.7VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/507 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):10V 电压 - 击穿(最小值):11.4V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:16.7V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):90A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13(DO-202AA) 标准包装:1 JANTXV1N6036A 功能描述:TVS DIODE 6VWM 11.3VC DO13 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/507 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态(典型值):6V 电压 - 击穿(最小值):7.13V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:11.3V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):132A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-13 供应商器件封装:DO-13(DO-202AA) 标准包装:1 JANTXV1N5968US 功能描述:Zener Diode 5.6V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5000μA @ 4.28V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E,轴向 供应商器件封装:E,轴向 标准包装:1 JANTXV1N5968 功能描述:Zener Diode 5.6V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500/356 包装:散装 零件状态:在售 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗(最大值)(Zzt):1 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5000μA @ 4.28V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔 封装/外壳:E,轴向 供应商器件封装:E,轴向 标准包装:1 JANTXV1N6081 JANTXV1N6100 JANTXV1N6101 JANTXV1N6103 JANTXV1N6103A JANTXV1N6103AUS JANTXV1N6103US JANTXV1N6104 JANTXV1N6104A JANTXV1N6104AUS JANTXV1N6104US JANTXV1N6105 JANTXV1N6105A JANTXV1N6105AUS JANTXV1N6105US JANTXV1N6106 JANTXV1N6106A JANTXV1N6106AUS
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