JANTXV1N6157AUS14

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制造商
MICROSEMI
功能描述
MIL-S-19500/16

JANTXV1N6157AUS14 技术参数

JANTXV1N6157AUS 功能描述:TVS DIODE 32.7VWM 59.1VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:32.7V 电压 - 击穿（最小值）:40.9V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:59.1V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:25.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1 JANTXV1N6157A 功能描述:TVS DIODE 32.7VWM GPKG AXIAL 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:32.7V 电压 - 击穿（最小值）:40.9V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:59.1V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:25.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:C，轴向标准包装:1 JANTXV1N6157 功能描述:TVS DIODE 32.7VWM 59.1VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:32.7V 电压 - 击穿（最小值）:40.9V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:59.1V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:25.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:轴向供应商器件封装:C，轴向标准包装:1 JANTXV1N6156AUS 功能描述:TVS DIODE 29.7VWM 53.6VC CPKG 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:29.7V 电压 - 击穿（最小值）:37.1V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:53.6V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:28A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，C 供应商器件封装:C，SQ-MELF 标准包装:1 JANTXV1N6156A 功能描述:TVS DIODE 29.7VWM GPKG AXIAL 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/516 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:29.7V 电压 - 击穿（最小值）:37.1V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:53.6V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:28A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:C，轴向标准包装:1 JANTXV1N6161 JANTXV1N6161A JANTXV1N6161AUS JANTXV1N6162 JANTXV1N6162A JANTXV1N6162AUS JANTXV1N6162AUS.TR JANTXV1N6163 JANTXV1N6163A JANTXV1N6163AUS JANTXV1N6164 JANTXV1N6164A JANTXV1N6164AUS JANTXV1N6165 JANTXV1N6165A JANTXV1N6165AUS JANTXV1N6166 JANTXV1N6166A