JANTXV1N752A-1CZL

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JANTXV1N752A-1CZL 技术参数

JANTXV1N752A-1 功能描述:Zener Diode 5.6V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/127 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:11 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2.5V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANTXV1N751DUR-1 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/127 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JANTXV1N751D-1 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/127 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANTXV1N751CUR-1 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/127 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-213AA（玻璃）供应商器件封装:DO-213AA 标准包装:1 JANTXV1N751C-1 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/127 包装:散装零件状态:在售电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 2V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 JANTXV1N753D-1 JANTXV1N753DUR-1 JANTXV1N754A-1 JANTXV1N754AUR-1 JANTXV1N754C-1 JANTXV1N754CUR-1 JANTXV1N754D-1 JANTXV1N754DUR-1 JANTXV1N755A-1 JANTXV1N755AUR-1 JANTXV1N755C-1 JANTXV1N755CUR-1 JANTXV1N755D-1 JANTXV1N755DUR-1 JANTXV1N756A-1 JANTXV1N756AUR-1 JANTXV1N756C-1 JANTXV1N756CUR-1