KBU8G-/51

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KBU8G-/51 技术参数

KBU8G 功能描述:DIODE BRIDGE 400V 8A KBU 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:在售二极管类型:单相技术:标准电压 - 峰值反向（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 8A 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 400V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:4-SIP，KBU 供应商器件封装:KBU 标准包装:300 KBU8A 功能描述:DIODE BRIDGE 50V 8A KBU 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:50V 电流 - DC 正向（If）:8A 安装类型:通孔封装/外壳:4-SIP，KBU 供应商器件封装:KBU 标准包装:300 KBU6M 功能描述:DIODE BRIDGE 1000V 6A KBU 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:1000V 电流 - DC 正向（If）:6A 安装类型:通孔封装/外壳:4-SIP，KBU 供应商器件封装:KBU 标准包装:300 KBU6D 功能描述:DIODE BRIDGE 200V 6A KBU 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:200V 电流 - DC 正向（If）:6A 安装类型:通孔封装/外壳:4-SIP，KBU 供应商器件封装:KBU 标准包装:300 KBU6B 功能描述:DIODE BRIDGE 100V 6A KBU 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:单相电压 - 峰值反向（最大值）:100V 电流 - DC 正向（If）:6A 安装类型:通孔封装/外壳:4-SIP，KBU 供应商器件封装:KBU 标准包装:300 KBVW006A0B41Z KBVW006A0B641Z KBVW006A0B841Z K-C02 KC1/2A10RJT KC101B2K KC102F2K KC103G2K KC103J2K KC104R2K KC10A9.501NLS KC-11 KC-11/12VDC KC11A10.001NLF KC11B10.001NLF KC-12 KC-12/12VDC KC12A13.001NLS