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LM5112MYTR

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LM5112MYTR
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-83789203多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
NSC
原厂原装
17+
-
原装现货，优势供应

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LM5112MYTR 技术参数

LM5112MY/NOPB 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube LM5112MY 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube LM5111-4MYX/NOPB 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube LM5111-4MY/NOPB 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube LM5111-4MX/NOPB 功能描述:功率驱动器IC RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube LM5113QDPRRQ1 LM5113SD/NOPB LM5113SDE/NOPB LM5113SDX/NOPB LM5113TME/NOPB LM5113TMX/NOPB LM5114AMF/NOPB LM5114AMF/S7003109 LM5114AMFX/NOPB LM5114AMFX/S7003103 LM5114ASD/NOPB LM5114ASDX/NOPB LM5114BMF/NOPB LM5114BMF/S7003094 LM5114BMF/S7003110 LM5114BMFX/NOPB LM5114BMFX/S7003094 LM5114BSD/NOPB