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LTE-C216-P-W

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  • 深圳市宝芯创电子有限公司
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  • 奥拉斯电气(济宁)有限公司
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LTE-C216-P-W 技术参数
  • LTE-5228A 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 100mA 3.31mW/sr @ 20mA 40° T 1 3/4 制造商:lite-on inc. 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外线 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):3.31mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:40° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 LTE-5208A 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 100mA 3.31mW/sr @ 20mA 40° T 1 3/4 制造商:lite-on inc. 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外线 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):3.31mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:40° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 LTE-4208 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 3.31mW/sr @ 20mA 20° T 1 3/4 制造商:lite-on inc. 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外线 电流 - DC 正向(If):50mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):3.31mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:T 1 3/4 标准包装:1,000 LTE-4206 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 60mA 1.38mW/sr @ 20mA 20° T-1 制造商:lite-on inc. 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 类型:红外线 电流 - DC 正向(If):60mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):1.38mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.2V 视角:20° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:T-1 标准包装:1,000 LTE-3371TL 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.25V 100mA 6.77mW/sr @ 20mA 40° Radial 制造商:lite-on inc. 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 类型:红外线 电流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 时的辐射强度(Ie)(最小值):6.77mW/sr @ 20mA 波长:940nm 电压 - 正向(Vf)(典型值):1.25V 视角:40° 朝向:顶视图 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:通孔 封装/外壳:径向 标准包装:1,000 LTE-R38386S-S-U LTE-R38386S-ZF-U LTE-S9511E LTF3020T-100M-D LTF3020T-150M-D LTF3020T-1R2N-D LTF3020T-1R8N-D LTF3020T-220M-D LTF3020T-2R2N-D LTF3020T-2R7N-D LTF3020T-330M-D LTF3020T-3R3N-D LTF3020T-470M-D LTF3020T-4R7N-D LTF3020T-560M-D LTF3020T-5R6N-D LTF3020T-6R8N-D LTF4022T-100M-D
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