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M29DW256G-70NF6E

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M29DW256G-70NF6E 技术参数

M29DW256G70NF6E 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步存储容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并联电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8）包装:带卷 (TR) M29DW128F70ZA6F 功能描述:闪存 STD FLASH 128 MEG RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29DW128F70NF6E 功能描述:闪存 STD FLASH 128 MEG RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29DW128F60ZA6E 功能描述:闪存 STD FLASH 128 MEG RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29DW127G70ZA6F TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 128MBIT 70NS 64TBGA M29DW323DB70N6 M29DW323DB70N6E M29DW323DB70N6F M29DW323DB70N6F TR M29DW323DB70ZE6E M29DW323DB70ZE6F TR M29DW323DB7AN6F TR M29DW323DB90N6 M29DW323DT70N6E M29DW323DT70N6F M29DW323DT70N6F TR M29DW323DT70ZE6E M29DW323DT70ZE6F M29DW323DT70ZE6F TR M29DW640F70N6E M29DW640F70ZE6E M29DW641F60ZE6E M29DW641F70N6E