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M29F010B70N6-FN1

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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    联系人:雷春艳

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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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M29F010B70N6-FN1 技术参数
  • M29F010B70N6E 功能描述:闪存 1M (128Kx8) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29F010B70N1 功能描述:闪存 1M (128Kx8) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29F010B70K6T 功能描述:闪存 1M (128Kx8) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29F010B70K6F 功能描述:闪存 STD FLASH 1 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29F010B70K6E 功能描述:闪存 STD FLASH 1 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29F040B70N1 M29F040B70N1T M29F040B70N1T TR M29F040B70N6 M29F040B70N6E M29F040B90K1 M29F040B90K6 M29F040B90N1 M29F040B90N1T M29F040B90N1T TR M29F040B90N6 M29F080D70M6 M29F080D70N1 M29F080D70N6 M29F080D70N6E M29F080D90N1 M29F160FB55N3E2 M29F160FB55N3F2 TR
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