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M29F800DT55N6T

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  • 深圳市新良宇电子有限公司
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  • STMicroelectronics

  • IC 512K X 16 FLASH 5

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M29F800DT55N6T 技术参数
  • M29F800DT55N6E 功能描述:闪存 STD FLASH 8 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29F800DT55N6 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 55ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29F800DT55N1 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 55ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29F800DB70N6T 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29F800DB70N6F 功能描述:闪存 STD FLASH 8 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29F800FB52M3F2 TR M29F800FB55M3E2 M29F800FB55M3F2 TR M29F800FB55N3E2 M29F800FB55N3F2 TR M29F800FB5AM6F2 TR M29F800FB5AN6E2 M29F800FB5AN6F2 TR M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3F2 TR M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3F2 TR M29F800FT5AM6F2 TR M29F800FT5AN6E2 M29F800FT5AN6F2 M29F800FT5AN6F2 TR M29W008AT120N6T M29W008AT120N6T TR
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