M29W160EB70N6E(PB FREE) TUBE

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M29W160EB70N6E(PB FREE) TUBE 技术参数

M29W160EB70N6E 功能描述:闪存 2Mx8 or 1Mx16 70ns RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29W160EB70N6 功能描述:闪存 2Mx8 or 1Mx16 70ns RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29W160EB70N3F 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 3V 48TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20）包装:托盘 M29W160EB70N3E 功能描述:IC FLASH 16MB 70NS 3V 48TSOP RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:Axcell™ 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步存储容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并联电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20）包装:托盘 M29W160EB70N1 功能描述:闪存 2Mx8 or 1Mx16 70ns RoHS:否制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29W160EB7AN6F TR M29W160EB7AZA6F TR M29W160EB80ZA3SE M29W160EB80ZA3SE TR M29W160EB90N1 M29W160EB90N6 M29W160ET70N3E M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F TR M29W160ET70N6E M29W160ET70N6F M29W160ET70N6F TR M29W160ET70ZA6E M29W160ET70ZA6F M29W160ET70ZA6F TR M29W160ET70ZS6E M29W160ET70ZS6F TR M29W160ET7AN6E