M29W800DB90N1技术参数

M29W800DB90N6 制造商:STMicroelectronics 功能描述: M29W800DB90N6T 功能描述:IC FLASH 8MBIT 90NS 48TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF) M29W800DT45N6E 功能描述:闪存 8 MBIT (1MB) 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29W800DT45N6F 功能描述:闪存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29W800DT45N6F TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 45NS 48TSOP M29W800DT45ZE6E 功能描述:闪存 8 MBIT (1MB) 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29W800DT45ZE6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Tape and Reel M29W800DT45ZE6F TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 45NS 48TFBGA M29W800DT70D11 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film M29W800DT70M6 功能描述:闪存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel M29W800DB90N6T M29W800DT45N6E M29W800DT45N6F TR M29W800DT45ZE6E M29W800DT45ZE6F TR M29W800DT70N1 M29W800DT70N6 M29W800DT70N6E M29W800DT70N6F M29W800DT70N6F TR M29W800DT70ZE6E M29W800DT70ZE6F M29W800DT70ZE6F TR M29W800DT70ZM6E M29W800DT70ZM6F TR M29W800DT90N1 M29W800DT90N6 M29W800FB70N3E