MAP4P274-1225T

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MAP4P274-1225T 技术参数

MAP4KE91CAE3 功能描述:TVS DIODE 77.8VWM 125VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:77.8V 电压 - 击穿（最小值）:86.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:125V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:3.2A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1 MAP4KE91CA 功能描述:TVS DIODE 77.8VWM 125VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:77.8V 电压 - 击穿（最小值）:86.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:125V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:3.2A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1 MAP4KE91AE3 功能描述:TVS DIODE 77.8VWM 125VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:77.8V 电压 - 击穿（最小值）:86.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:125V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:3.2A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1 MAP4KE91A 功能描述:TVS DIODE 77.8VWM 125VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:77.8V 电压 - 击穿（最小值）:86.5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:125V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:3.2A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1 MAP4KE9.1CAE3 功能描述:TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:7.78V 电压 - 击穿（最小值）:8.65V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:13.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:30A 功率 - 峰值脉冲:400W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1 MAP55-4001C MAP55-4001G MAP55-4002 MAP55-4002G MAP55-4003 MAP55-4003G MAP55-4004 MAP55-4004G MAP5KE100A MAP5KE100AE3 MAP5KE100CA MAP5KE100CAE3 MAP5KE10A MAP5KE10AE3 MAP5KE10CA MAP5KE10CAE3 MAP5KE110A MAP5KE110AE3