MAP5KE64CAE3TR

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MAP5KE64CAE3TR 技术参数

MAP5KE64CAE3 功能描述:TVS DIODE 64VWM 103VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:64V 电压 - 击穿（最小值）:71.1V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:103V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.9A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1 MAP5KE64CA 功能描述:TVS DIODE 64VWM 103VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:64V 电压 - 击穿（最小值）:71.1V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:103V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.9A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1 MAP5KE64AE3 功能描述:TVS DIODE 64VWM 103VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:64V 电压 - 击穿（最小值）:71.1V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:103V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.9A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1 MAP5KE64A 功能描述:TVS DIODE 64VWM 103VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:64V 电压 - 击穿（最小值）:71.1V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:103V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:4.9A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1 MAP5KE60CAE3 功能描述:TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:60V 电压 - 击穿（最小值）:66.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:96.8V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:5.2A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-204AL（DO-41）标准包装:1 MAP5KE70AE3 MAP5KE70CA MAP5KE70CAE3 MAP5KE75A MAP5KE75AE3 MAP5KE75CA MAP5KE75CAE3 MAP5KE78A MAP5KE78AE3 MAP5KE78CA MAP5KE78CAE3 MAP5KE8.0A MAP5KE8.0AE3 MAP5KE8.0CA MAP5KE8.0CAE3 MAP5KE8.5A MAP5KE8.5AE3 MAP5KE8.5CA