MAQ470GQE-AEC1-Z

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MAQ470GQE-AEC1-Z
北京京北通宇电子元件有限公司
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北京京华特科技有限公司
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MAQ470GQE-AEC1-Z 技术参数

MAQ4125YME-VAO MAQ4125YME-TR 功能描述:IC MOSFET DVR 3A L-SIDE 8SOIC 制造商:microchip technology 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT）零件状态:停产驱动配置:低压侧通道类型:独立式驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.5 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，3A 输入类型:反相，非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:11ns，11ns 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:* 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘供应商器件封装:8-SOIC-EP 标准包装:1 MAQ4125YME 功能描述:功率驱动器IC Automotive AEC-Q100 Inverting + Non-Inverting Dual 3A RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube MAQ4124YME-VAO 功能描述:IC MOSFET DVR 3A L-SIDE 8SOIC 制造商:microchip technology 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:管件零件状态:在售驱动配置:低压侧通道类型:独立式驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.5 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，3A 输入类型:非反相上升/下降时间（典型值）:11ns，11ns 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘供应商器件封装:8-SOIC-EP 标准包装:95 MAQ4124YME-TR 功能描述:IC MOSFET DVR 3A L-SIDE 8SOIC 制造商:microchip technology 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:剪切带（CT）零件状态:停产驱动配置:低压侧通道类型:独立式驱动器数:2 栅极类型:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.5 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:0.8V，2.4V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:3A，3A 输入类型:非反相高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:11ns，11ns 工作温度:-40°C ~ 125°C （TJ）安装类型:* 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸焊盘供应商器件封装:8-SOIC-EP 标准包装:1 MAQ5300-3.0YML-TR MAQ-6 MAQ-7 MAQ-8 MAQ-9 MAQRF112YMM MAQRF112YMM-TR MARR-5-12-18 MARR-5-12-23 MARR-5-12-28 MARR-5-12-38 MARR-5-17-38 MARR-5-37-43 MARS1-AP0100AT2-GEVB MARSON 39001 MART100KP100A MART100KP100AE3 MART100KP100CA