MBR1535CT608P

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MBR1535CT608P
深圳市华芯盛世科技有限公司
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MBR1535CT608P 技术参数

MBR15200DJFTR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 200V PDFNWB5X6-8L 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:920mV @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:400pF @ 5V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:8-PDFNWB（5x6）工作温度 - 结:-55°C ~ 200°C 标准包装:1 MBR15200 功能描述:DIODE SCHOTTKY 200V TO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:400pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MBR130HWTR 功能描述:PIV 30V IO 1A VF 0 45V PACKAGE S 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:450mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:400μA @ 30V 不同?Vr，F 时的电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C 标准包装:1 MBR12060CTR 功能描述:DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:750mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR12060CT 功能描述:DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:750mV @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:3mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR1545CT-1 MBR1545CT-1HE3/45 MBR1545CT801HE3/45 MBR1545CT802HE3/45 MBR1545CT-E3/45 MBR1545CTG MBR1545CTHC0G MBR1545CTHE3/45 MBR1550CT MBR1550CT C0G MBR1550CT-E3/45 MBR1550CTHC0G MBR1550CTHE3/45 MBR1550ULPS-TP MBR1560CT MBR1560CT C0G MBR1560CT-2HE3/45 MBR1560CT-E3/45