MBR20100PT

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

MBR20100PT
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
TSC
TO3P
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

MBR20100PT
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
TAIWAN SE
1521+
-
全新原装现货

MBR20100PT
深圳市瑞斯特电子科技有限公司
深圳市瑞斯特电子科技有限公司
联系人：杨锐锋
电话：0755-8255091013189682405
地址：深圳福田区华强广场二楼Q2B046
5000
ON
TO247
2014+
-
New and original

MBR20100PT
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-837892031333298700517727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-3P
TAIWAN
17+
-
原装正品。优势供应

1/1页 40条/页共9条
1

您是不是要找： MBR20100PT C0G MBR20100PTHC0G MBR20100WT MBR20150 MBR20150CT MBR20150CT C0G MBR20150CT-E1 MBR20150CTE3/TU MBR20150CTF-E1

MBR20100PT PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

MBR20100PT PDF下载

功能描述
肖特基二极管与整流器 20A,100V,DUAL SCHOTTKY Rect
RoHS
否
制造商
Skyworks Solutions, Inc.
产品
Schottky Diodes
峰值反向电压
2 V
正向连续电流
50 mA
最大浪涌电流
配置
Crossover Quad
恢复时间
正向电压下降
370 mV
最大反向漏泄电流
最大功率耗散
75 mW
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-143
封装
Reel

MBR20100PT 技术参数

MBR20100CTP 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 MBR20100CT 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 10A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 MBR20100 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:880mV @ 20A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 不同?Vr，F 时的电容:400pF @ 5V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MBR20030CTR 功能描述:DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR20030CT 功能描述:DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:650mV @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5mA @ 20V 安装类型:底座安装封装/外壳:双塔架供应商器件封装:双塔架标准包装:25 MBR20150CTF-G1 MBR20150CT-G MBR20150CT-G1 MBR20150CTHC0G MBR20150CT-LJ MBR20150CTP MBR20150CTTU MBR20150FCTE3/TU MBR20150PT C0G MBR20150PTHC0G MBR20150SCT-E1 MBR20150SCTF-E1 MBR20150SCTF-G1 MBR20150SCT-G1 MBR20200 MBR20200CT MBR20200CT C0G MBR20200CT-1