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MBS10RC

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    MBS10RC

    MBS10RC

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • TSC

  • SOP-4

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  • 制造商
  • Taiwan Semiconductor
  • 功能描述
  • Diode Rectifier Bridge1KV 0.8A 4-Pin MBS
MBS10RC 技术参数
  • MBRT40045R 功能描述:DIODE MODULE 45V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阳极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):400A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):750mV @ 200A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 20V 安装类型:底座安装 封装/外壳:三塔 供应商器件封装:三塔 标准包装:25 MBRT40045 功能描述:DIODE MODULE 45V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):400A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):750mV @ 200A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 20V 安装类型:底座安装 封装/外壳:三塔 供应商器件封装:三塔 标准包装:25 MBRT40035R 功能描述:DIODE MODULE 35V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阳极 二极管类型:肖特基,反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):35V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):400A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):750mV @ 200A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 20V 安装类型:底座安装 封装/外壳:三塔 供应商器件封装:三塔 标准包装:25 MBRT40035 功能描述:DIODE MODULE 35V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):35V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):400A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):750mV @ 200A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 20V 安装类型:底座安装 封装/外壳:三塔 供应商器件封装:三塔 标准包装:25 MBRT400100R 功能描述:DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阳极 二极管类型:肖特基,反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):400A(DC) 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):880mV @ 200A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 20V 安装类型:底座安装 封装/外壳:三塔 供应商器件封装:三塔 标准包装:25 MBS133033 MBS2 RCG MBS22GX050004XX4XX MBS22GX150004XX4XX MBS22GX350004XX4XX MBS2HRCG MBS4 RCG MBS4830 MBS4850 MBS4850S MBS4HRCG MBS6 RCG MBS6HRCG MBS8 RCG MBS8HRCG MBSH-TR MBSH-TR316 MBS-MR
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