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MCH6353-TL-W

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  • MCH6353-TL-W
    MCH6353-TL-W

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 2325000

  • ON SEMICO

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • MCH6353-TL-W
    MCH6353-TL-W

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  • 深圳市创芯弘科技有限公司
    深圳市创芯弘科技有限公司

    联系人:(2014年前十佳IC供应商)

    电话:13410000176

    地址:深圳市福田区益田路平安金融中心4606.代理分销常备现货.可申请账期......

    资质:营业执照

  • 369800

  • ON(安森美)

  • SOT-363-6

  • 刚到货

  • -
  • 代理可含税开票

  • MCH6353-TL-W
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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • ON Semiconductor

  • 6-MCPH

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • MCH6353-TL-W
    MCH6353-TL-W

    MCH6353-TL-W

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:严艺浦

    电话:18682365538

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • ON/安森美

  • 6-MCPH

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • MCH6353-TL-W
    MCH6353-TL-W

    MCH6353-TL-W

  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:雷精云

    电话:18988598856

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 4422

  • ON/安森美

  • 6-MCPH

  • 2203+

  • -
  • 十年专营,供应原装正品!热卖现货!

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MCH6353-TL-W PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
MCH6353-TL-W 技术参数
  • MCH6337-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):49 毫欧 @ 3A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):670pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线 供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH6202-TL-E 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):225mV @ 15mA,750mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:500MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线 供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH6102-TL-E 功能描述:TRANS PNP 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):375mV @ 15mA,750mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:450MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线 供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH5837-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2A MCPH5 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式),逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):145 毫欧 @ 1A,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.8nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):115pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD(5引线),扁引线 供应商器件封装:5-MCPH 标准包装:1 MCH4009-TL-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 40MA MCPH4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):3.5V 频率 - 跃迁:25GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz 增益:9dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:120mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,1V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):40mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-SMD,扁平引线 供应商器件封装:4-MCPH 标准包装:1 MCH6437-P-TL-E MCH6437-TL-E MCH6437-TL-W MCH6444-TL-H MCH6444-TL-W MCH6445-TL-W MCH6448-TL-H MCH6448-TL-W MCH6534-TL-E MCH6536-TL-E MCH6541-TL-E MCH6542-TL-E MCH6544-TL-E MCH6545-TL-E MCH6601-TL-E MCH6602-TL-E MCH6603-TL-H MCH6604-TL-E
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