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MCH6429-TL-E

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说明
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MCH6429-TL-E
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
SANYO Semiconductor (U.S.
6-MCPH
17+
-
全新原装现货

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 20V 6A MCPH6
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列
-
标准包装
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件

MCH6429-TL-E 技术参数

MCH6412-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:41 毫欧 @ 3A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:790pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD，扁平引线供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH6337-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:49 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:670pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD，扁平引线供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH6202-TL-E 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:225mV @ 15mA，750mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:500MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD，扁平引线供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH6102-TL-E 功能描述:TRANS PNP 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1.5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:375mV @ 15mA，750mA 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:450MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD，扁平引线供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH5837-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2A MCPH5 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式），逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:145 毫欧 @ 1A，4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.8nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:115pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-SMD（5引线），扁引线供应商器件封装:5-MCPH 标准包装:1 MCH6444-TL-W MCH6445-TL-W MCH6448-TL-H MCH6448-TL-W MCH6534-TL-E MCH6536-TL-E MCH6541-TL-E MCH6542-TL-E MCH6544-TL-E MCH6545-TL-E MCH6601-TL-E MCH6602-TL-E MCH6603-TL-H MCH6604-TL-E MCH6605-TL-E MCH6606-TL-E MCH6613-TL-E MCH6626-TL-E