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MCH6731

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  • MCH6731-TL-E
    MCH6731-TL-E

    MCH6731-TL-E

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • SANYO

  • 标准封装

  • 09/10+

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  • 全新原装100%正品保证质量

  • MCH6731-TL-E
    MCH6731-TL-E

    MCH6731-TL-E

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • SANYO

  • 标准封装

  • 09/10+

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  • 全新原装100%正品保证质量

  • MCH6731-TL
    MCH6731-TL

    MCH6731-TL

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 30000

  • SANYO

  • MCPH6

  • 13+

  • -
  • 全新原装现货

  • MCH6731-TL-E
    MCH6731-TL-E

    MCH6731-TL-E

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 3000

  • SANYO

  • 标准封装

  • 09/10+

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  • 全新原装100%正品保证质量

  • MCH6731
    MCH6731

    MCH6731

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • SANYO

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  • 代理此型号,原装正品现货!!!

  • MCH6731-TL
    MCH6731-TL

    MCH6731-TL

  • 深圳市艾飞琪电子科技有限公司
    深圳市艾飞琪电子科技有限公司

    联系人:曹先生

    电话:0755-239499810755-23037082

    地址:深圳市福田区都会大厦B座29S

  • 9000

  • SANYO

  • SOT363

  • 12+

  • -
  • 全新原装现货

  • MCH6731-TL
    MCH6731-TL

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  • 甄芯网
    甄芯网

    联系人:柯先生/赵小姐

    电话:0755-83665813

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907 门市部:中航路都会电子3C002B

    资质:营业执照

  • 6000

  • SANYO

  • MCPH6

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  • 制造商
  • SANYO
  • 制造商全称
  • Sanyo Semicon Device
  • 功能描述
  • PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications
MCH6731 技术参数
  • MCH6626-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.6A,1A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):230 毫欧 @ 800mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):1.4nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):105pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线 供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH6429-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):28 毫欧 @ 3A,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8.2nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):680pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线 供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH6412-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):41 毫欧 @ 3A,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7nC @ 4V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):790pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线 供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH6337-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):49 毫欧 @ 3A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):7.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):670pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线 供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCH6202-TL-E 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):225mV @ 15mA,750mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:500MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线 供应商器件封装:6-MCPH 标准包装:1 MCHC11F1VFNE3 MCHC11F1VFNE4 MCHC11F1VFNE4R MCHC705B16NCFNE MCHC705B16NVFNE MCHC705JJ7CPE MCHC705JP7CDWE MCHC705KJ1CDWE MCHC705KJ1CPE MCHC711KS2CFNE3 MCHC711KS2CFNE4 MCHC711KS2MFNE4 MCHC711KS2VFNE3 MCHC908AB32CFUR2 MCHC908GR8ACFAE MCHC908GR8AMFAE MCHC908GR8AMFAER MCHC908GR8AVFAE
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