MJD3055T4/3055

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MJD3055T4/3055
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
MOTOROAL
SOT-252
15+
-
百分百原装假一罚十

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MJD3055T4/3055 技术参数

MJD3055T4 功能描述:TRANS NPN 60V 10A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:8V @ 3.3A，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 4A，4V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD2955T4 功能描述:TRANS PNP 60V 10A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:8V @ 3.3A，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 4A，4V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD127T4 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:4V @ 80mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，4V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD122T4 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:4V @ 80mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，4V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJD122-1 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO251 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:散装零件状态:有效晶体管类型:NPN - 达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）:8A 电压 - 集射极击穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:4V @ 80mA，8A 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，4V 功率 - 最大值:20W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 供应商器件封装:TO-251-3 标准包装:75 MJD31CRL MJD31CRLG MJD31CT4 MJD31CT4-A MJD31CT4G MJD31CTF MJD31CTF_NBDD001 MJD31CTF_SBDD001A MJD31CUQ-13 MJD31T4G MJD32C MJD32C-13 MJD32CG MJD32CQ-13 MJD32CRL MJD32CRLG MJD32CT4 MJD32CT4-A