MJE2955TTU TO-220

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MJE2955TTU TO-220 技术参数

MJE2955T 功能描述:TRANS PNP 60V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:8V @ 3.3A，10A 电流 - 集电极截止（最大值）:700μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 4A，4V 功率 - 最大值:75W 频率 - 跃迁:2MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 MJE210 功能描述:TRANS PNP 25V 5A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:5A 电压 - 集射极击穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.8V @ 1A，5A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:45 @ 2A，1V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:65MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:50 MJE182 功能描述:TRANS NPN 80V 3A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 600mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:12.5W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:50 MJE172 功能描述:TRANS PNP 80V 3A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1.7V @ 600mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:12.5W 频率 - 跃迁:50MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-225AA，TO-126-3 供应商器件封装:SOT-32-3 标准包装:2,000 MJD50T4 功能描述:TRANS NPN 400V 1A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:1A 电压 - 集射极击穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 200mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 300mA，10V 功率 - 最大值:15W 频率 - 跃迁:10MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:D-Pak 标准包装:1 MJE350G MJE350STU MJE371 MJE371G MJE4343 MJE4343G MJE4353 MJE4353G MJE521 MJE521G MJE5730 MJE5730G MJE5731 MJE5731A MJE5731AG MJE5731G MJE5742 MJE5742G