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MLZ2012A3R3WTD25

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说明
操作

MLZ2012A3R3WTD25
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
TDK Corporation
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

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1

您是不是要找： MLZ2012DR10DT000 MLZ2012DR10DTD25 MLZ2012DR10MT000 MLZ2012DR22DTD25 MLZ2012DR22MT000 MLZ2012DR47DTD25 MLZ2012DR47MT000 MLZ2012E100M MLZ2012E4R7M

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MLZ2012A3R3WTD25 PDF下载

功能描述
3.3μH Shielded Multilayer Inductor 450mA 442 mOhm Max 0805 (2012 Metric)
制造商
tdk corporation
系列
MLZ
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
类型
多层
材料 - 磁芯
铁氧体
电感
3.3μH
容差
±20%
额定电流
450mA
电流 - 饱和值
200mA
屏蔽
屏蔽
DC 电阻（DCR）
442 毫欧最大
不同频率时的 Q 值
-
频率 - 自谐振
-
等级
AEC-Q200
工作温度
-55°C ~ 125°C
频率 - 测试
10MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
0805（2012 公制）
大小/尺寸
0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）
高度 - 安装（最大值）
0.041"（1.05mm）
标准包装
1

MLZ2012A3R3WTD25 技术参数

MLZ2012A3R3WT000 功能描述:3.3μH Shielded Multilayer Inductor 450mA 442 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:铁氧体电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:450mA 电流 - 饱和值:200mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:442 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:90MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:10MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.041"（1.05mm）标准包装:1 MLZ2012A2R2WTD25 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 650mA 195 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:铁氧体电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:650mA 电流 - 饱和值:210mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:195 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:10MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.041"（1.05mm）标准包装:1 MLZ2012A2R2WT000 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 650mA 195 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:铁氧体电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:650mA 电流 - 饱和值:210mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:195 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:120MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:10MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.041"（1.05mm）标准包装:1 MLZ2012A2R2M 功能描述:2.2μH Shielded Multilayer Inductor 650mA 150 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:铁氧体电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:650mA 电流 - 饱和值:210mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:150 毫欧不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:100MHz 等级:- 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:10MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.041"（1.05mm）标准包装:1 MLZ2012A1R5WTD25 功能描述:1.5μH Shielded Multilayer Inductor 750mA 169 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLZ 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:多层材料 - 磁芯:铁氧体电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:750mA 电流 - 饱和值:250mA 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:169 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:AEC-Q200 工作温度:-55°C ~ 125°C 频率 - 测试:10MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0805（2012 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm）高度 - 安装（最大值）:0.041"（1.05mm）标准包装:1 MLZ2012M100HT000 MLZ2012M100HTD25 MLZ2012M100WT000 MLZ2012M100WTD25 MLZ2012M150WT000 MLZ2012M150WTD25 MLZ2012M1R0HT000 MLZ2012M1R0HTD25 MLZ2012M1R5HT MLZ2012M1R5HT000 MLZ2012M1R5HTD25 MLZ2012M220WT000 MLZ2012M220WTD25 MLZ2012M2R2HT000 MLZ2012M2R2HTD25 MLZ2012M330WT000 MLZ2012M330WTD25 MLZ2012M3R3HT