MPLAD30KP20CATR

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MPLAD30KP20CATR 技术参数

MPLAD30KP170CA 功能描述:TVS DIODE 170VWM 275VC PLAD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:170V 电压 - 击穿（最小值）:189V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:275V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:110A 功率 - 峰值脉冲:30000W（30kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准型 SMD 供应商器件封装:PLAD 标准包装:1 MPLAD30KP110CA 功能描述:TVS DIODE 110VWM 177VC PLAD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:110V 电压 - 击穿（最小值）:122V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:177V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:168A 功率 - 峰值脉冲:30000W（30kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准型 SMD 供应商器件封装:PLAD 标准包装:1 MPLAD15KP85A 功能描述:TVS DIODE 85VWM 137VC PLAD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:85V 电压 - 击穿（最小值）:94.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:137V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:108A 功率 - 峰值脉冲:15000W（15kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准型 SMD 供应商器件封装:PLAD 标准包装:1 MPLAD15KP78CA 功能描述:TVS DIODE 78VWM 126VC PLAD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:78V 电压 - 击穿（最小值）:86.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:126V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:120A 功率 - 峰值脉冲:15000W（15kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准型 SMD 供应商器件封装:PLAD 标准包装:1 MPLAD15KP75CAE3 功能描述:TVS DIODE 75VWM 121VC PLAD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:121V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:123A 功率 - 峰值脉冲:15000W（15kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准型 SMD 供应商器件封装:PLAD 标准包装:1 MPLAD30KP24AE3 MPLAD30KP24CA MPLAD30KP24CAE3 MPLAD30KP260A MPLAD30KP260AE3 MPLAD30KP260CA MPLAD30KP260CAE3 MPLAD30KP26A MPLAD30KP26AE3 MPLAD30KP26CA MPLAD30KP26CAE3 MPLAD30KP280A MPLAD30KP280AE3 MPLAD30KP280CA MPLAD30KP280CAE3 MPLAD30KP28A MPLAD30KP28AE3 MPLAD30KP28CA