MPLAD30KP40AE3

配单专家企业名单

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价格
说明
操作

MPLAD30KP40AE3
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：陈先生13360533550
电话：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田区华富路航都大厦11F
资质：营业执照
22777
MICROSEMI/美高森美
PLAD
22+
-
原厂原装现货

MPLAD30KP40AE3
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
Microsemi Corporation
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百原装正品

MPLAD30KP40AE3
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
MICROSEMI
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

MPLAD30KP40AE3
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
MICROSEMI
PLAD
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TVS DIODE 40VWM 64.5VC PLAD
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TVS 30KW UNIDIRECT PLAD

MPLAD30KP40AE3 技术参数

MPLAD30KP350CAE3 功能描述:TVS DIODE 350VWM 564VC PLAD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:350V 电压 - 击穿（最小值）:389V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:564V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:53A 功率 - 峰值脉冲:30000W（30kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准型 SMD 供应商器件封装:PLAD 标准包装:1 MPLAD30KP350A 功能描述:TVS DIODE 350VWM 564VC PLAD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:350V 电压 - 击穿（最小值）:389V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:564V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:53A 功率 - 峰值脉冲:30000W（30kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准型 SMD 供应商器件封装:PLAD 标准包装:1 MPLAD30KP33A 功能描述:TVS DIODE 33VWM 53.3VC PLAD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:33V 电压 - 击穿（最小值）:36.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:53.3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:564A 功率 - 峰值脉冲:30000W（30kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准型 SMD 供应商器件封装:PLAD 标准包装:1 MPLAD30KP300A 功能描述:TVS DIODE 300VWM 483VC PLAD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:300V 电压 - 击穿（最小值）:333V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:483V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:62A 功率 - 峰值脉冲:30000W（30kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准型 SMD 供应商器件封装:PLAD 标准包装:1 MPLAD30KP260CAE3 功能描述:TVS DIODE 260VWM 419VC PLAD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:260V 电压 - 击穿（最小值）:289V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:419V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:71A 功率 - 峰值脉冲:30000W（30kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准型 SMD 供应商器件封装:PLAD 标准包装:1 MPLAD30KP45CAE3 MPLAD30KP48A MPLAD30KP48AE3 MPLAD30KP48CA MPLAD30KP48CAE3 MPLAD30KP51A MPLAD30KP51AE3 MPLAD30KP51CA MPLAD30KP51CAE3 MPLAD30KP54A MPLAD30KP54AE3 MPLAD30KP54CA MPLAD30KP54CAE3 MPLAD30KP58A MPLAD30KP58AE3 MPLAD30KP58CA MPLAD30KP58CAE3 MPLAD30KP60A