MPLAD30KP40CAE3TR

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MPLAD30KP40CAE3TR 技术参数

MPLAD30KP350CAE3 功能描述:TVS DIODE 350VWM 564VC PLAD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:350V 电压 - 击穿（最小值）:389V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:564V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:53A 功率 - 峰值脉冲:30000W（30kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准型 SMD 供应商器件封装:PLAD 标准包装:1 MPLAD30KP350A 功能描述:TVS DIODE 350VWM 564VC PLAD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:350V 电压 - 击穿（最小值）:389V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:564V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:53A 功率 - 峰值脉冲:30000W（30kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准型 SMD 供应商器件封装:PLAD 标准包装:1 MPLAD30KP33A 功能描述:TVS DIODE 33VWM 53.3VC PLAD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:33V 电压 - 击穿（最小值）:36.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:53.3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:564A 功率 - 峰值脉冲:30000W（30kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准型 SMD 供应商器件封装:PLAD 标准包装:1 MPLAD30KP300A 功能描述:TVS DIODE 300VWM 483VC PLAD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:300V 电压 - 击穿（最小值）:333V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:483V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:62A 功率 - 峰值脉冲:30000W（30kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准型 SMD 供应商器件封装:PLAD 标准包装:1 MPLAD30KP260CAE3 功能描述:TVS DIODE 260VWM 419VC PLAD 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:260V 电压 - 击穿（最小值）:289V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:419V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:71A 功率 - 峰值脉冲:30000W（30kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:非标准型 SMD 供应商器件封装:PLAD 标准包装:1 MPLAD30KP48AE3 MPLAD30KP48CA MPLAD30KP48CAE3 MPLAD30KP51A MPLAD30KP51AE3 MPLAD30KP51CA MPLAD30KP51CAE3 MPLAD30KP54A MPLAD30KP54AE3 MPLAD30KP54CA MPLAD30KP54CAE3 MPLAD30KP58A MPLAD30KP58AE3 MPLAD30KP58CA MPLAD30KP58CAE3 MPLAD30KP60A MPLAD30KP60AE3 MPLAD30KP60CA