MRF175GU1111

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制造商
MA-COM
制造商全称
M/A-COM Technology Solutions, Inc.
功能描述
N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs

MRF175GU1111 技术参数

MRF175GU 功能描述:FET RF 2CH 65V 225MHZ 375-04 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:* 零件状态:有效晶体管类型:2 N 沟道（双）共源频率:225MHz 增益:14dB 电压 - 测试:28V 额定电流:26A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA 功率 - 输出:200W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:375-04 供应商器件封装:375-04，2 型标准包装:10 MRF174 功能描述:FET RF 65V 150MHZ 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:N 通道频率:150MHz 增益:11.8dB 电压 - 测试:28V 额定电流:13A 噪声系数:3dB 电流 - 测试:2A 功率 - 输出:125W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:211-11，2 型供应商器件封装:211-11，2 型标准包装:10 MRF173CQ 功能描述:FET RF 65V 150MHZ 316-01 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:N 通道频率:150MHz 增益:13dB 电压 - 测试:28V 额定电流:9A 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:80W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:316-01 供应商器件封装:316-01，2 型标准包装:10 MRF173 功能描述:FET RF 65V 150MHZ 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:N 通道频率:150MHz 增益:13dB 电压 - 测试:28V 额定电流:9A 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:50mA 功率 - 输出:80W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:211-11，2 型供应商器件封装:211-11，2 型标准包装:20 MRF171A 功能描述:FET RF 65V 200MHZ 211-07 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包装:托盘零件状态:有效晶体管类型:N 通道频率:30MHz ~ 200MHz 增益:19.5dB 电压 - 测试:28V 额定电流:4.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:25mA 功率 - 输出:45W 电压 - 额定:65V 封装/外壳:211-07 供应商器件封装:211-07，2 型标准包装:20 MRF18085ALSR3 MRF18085ALSR5 MRF18085BLR3 MRF18090AR3 MRF18-8P/PR-MD MRF18-8P-113/SO-MD MRF18-8P-137/SO-MD MRF18-8P-178/SO-MD MRF18-8P-178B/U MRF18-8R-PC MRF19030LR3 MRF19030LR5 MRF19030LSR3 MRF19030LSR5 MRF19045LR3 MRF19045LR5 MRF19045LSR3 MRF19045LSR5