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MSMBJSAC45E3

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Bulk

MSMBJSAC45E3 技术参数

MSMBJSAC45 功能描述:TVS DIODE 45VWM 77VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:45V 电压 - 击穿（最小值）:50V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:77V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:6.8A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA）标准包装:1 MSMBJSAC36E3 功能描述:TVS DIODE 36VWM 60VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:60V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:8.6A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA）标准包装:1 MSMBJSAC36 功能描述:TVS DIODE 36VWM 60VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:60V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:8.6A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA）标准包装:1 MSMBJSAC26E3 功能描述:TVS DIODE 26VWM 42.3VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:26V 电压 - 击穿（最小值）:28.9V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:42.3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:11.1A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA）标准包装:1 MSMBJSAC26 功能描述:TVS DIODE 26VWM 42.3VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:26V 电压 - 击穿（最小值）:28.9V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:42.3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:11.1A 功率 - 峰值脉冲:500W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:30pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA）标准包装:1 MSMBJSAC75E3 MSMBJSAC8.0 MSMBJSAC8.0E3 MSMBJSAC8.5 MSMBJSAC8.5E3 MSMCG100A MSMCG100AE3 MSMCG100CA MSMCG100CAE3 MSMCG10A MSMCG10AE3 MSMCG10CA MSMCG10CAE3 MSMCG110A MSMCG110AE3 MSMCG110CA MSMCG110CAE3 MSMCG11A