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MT41K256M16V80AWC1
深圳市兴合盛科技发展有限公司
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联系人：销售部：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
369
Micron Technology Inc.
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

MT41K256M16V80AWC1
北京首天伟业科技有限公司
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联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008-1009室
资质：营业执照
5000
Micron Technology Inc.
标准封装
16+
-
假一罚十

MT41K256M16V80AWC1
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖先生
电话：13612973190
地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室
9000
Micron
-
22+
-
原厂渠道，现货配单

MT41K256M16V80AWC1
深圳市深科创科技有限公司
深圳市深科创科技有限公司
联系人：吴先生/吴小姐/朱先生
电话：0755-832472900755-828652018324751083223957
地址：深圳市福田区航都大厦17F1可提供13%增值税发票
7500
MICRON/镁光
NA
2020+
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全新原装现货渠道优势库存假一罚十

MT41K256M16V80AWC1
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
联系人：吴
电话：18320850923
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室
20000
MICRON/镁光
NA
20+
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美光专营原装正品

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制造商
Micron Technology Inc
功能描述
256MX16 DDR3 SDRAM DIE-COM COMMERCIAL 1.35V - Bulk

MT41K256M16V80AWC1 技术参数

MT41K256M16TW-107:P 功能描述:IC SDRAM 4GBIT 933MHZ 96FBGA 制造商:micron technology inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:在售存储器类型:易失存储器格式:DRAM 技术:SDRAM - DDR3L 存储容量:4Gb （256M x 16）时钟频率:933MHz 写周期时间 - 字，页:- 访问时间:20ns 存储器接口:并联电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）安装类型:表面贴装封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）标准包装:1,368 MT41K256M16TW-107 XIT:P 功能描述:IC SDRAM 4GBIT 933MHZ 96FBGA 制造商:micron technology inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:在售格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR3L SDRAM 存储容量:4G（256M x 16）速度:933MHz 接口:并联电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）标准包装:1 MT41K256M16TW-107 AIT:P 功能描述:IC SDRAM 4GBIT 933MHZ 96FBGA 制造商:micron technology inc. 系列:- 包装:托盘零件状态:在售格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR3L SDRAM 存储容量:4G（256M x 16）速度:933MHz 接口:并联电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）标准包装:1 MT41K256M16TW-107 AAT:P TR 功能描述:IC DDR3 SDRAM 4GBIT 800MHZ FBGA 制造商:micron technology inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售格式 - 存储器:RAM 存储器类型:DDR3L SDRAM 存储容量:4G（256M x16）速度:933MHz 接口:并联电压 - 电源:1.283 V ~ 1.45 V 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）封装/外壳:96-TFBGA 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）标准包装:1 MT41K256M16RE-15E IT:D 功能描述:IC DDR3 SDRAM 4GBIT 96FBGA RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> 存储器系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步存储容量:1.125M（32K x 36）速度:5ns 接口:并联电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17）包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 MT41K256M8DA-107 IT:K TR MT41K256M8DA-107:K MT41K256M8DA-107:K TR MT41K256M8DA-125 AAT:K MT41K256M8DA-125 AIT:K MT41K256M8DA-125 AIT:K TR MT41K256M8DA-125 AUT:K MT41K256M8DA-125 AUT:K TR MT41K256M8DA-125 IT:K MT41K256M8DA-125 IT:K TR MT41K256M8DA-125:K MT41K256M8DA-125:K TR MT41K256M8DA-125:M MT41K256M8DA-15E:M MT41K256M8HX-15E:D MT41K256M8HX-187E:D MT41K256M8V89CWC1 MT41K2G4RKB-107:N