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MT46H8M32LGB5-75

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  • 深圳市华创欧科技有限公司
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    联系人:朱先生

    电话:2394575513590206539

    地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

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  • 深圳市芯驰科技有限公司
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    联系人:丁皓鹏

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    地址:福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

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  • 深圳市一线半导体有限公司
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    联系人:谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐

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  • 深圳市艾飞琪电子科技有限公司
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  • 深圳市一线半导体有限公司
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MT46H8M32LGB5-75 技术参数
  • MT46H8M32LFB5-75:A TR 功能描述:IC DDR SDRAM 256MBIT 90VFBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR 功能描述:IC DDR SDRAM 256MBIT 90VFBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M(1M x 8,512K x 16) 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA(7x7) 包装:托盘 MT46H8M32LFB5-6:H 功能描述:IC SDRAM 256MB 166MHZ 90VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘 MT46H8M32LFB5-6:A TR 功能描述:IC DDR SDRAM 256MBIT 90VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 MT46H8M32LFB5-6 IT:H 功能描述:IC SDRAM 256MB 166MHZ 90VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘 MT46V128M4CY-5B:J TR MT46V128M4FN-5B:D TR MT46V128M4FN-5B:F TR MT46V128M4FN-6:D TR MT46V128M4FN-6:F TR MT46V128M4FN-75:D MT46V128M4FN-75:D TR MT46V128M4FN-75Z:D MT46V128M4FN-75Z:D TR MT46V128M4P-5B:D TR MT46V128M4P-5B:F MT46V128M4P-5B:F TR MT46V128M4P-5B:J MT46V128M4P-5B:J TR MT46V128M4P-6T:D MT46V128M4P-6T:D TR MT46V128M4P-6T:F MT46V128M4P-6T:F TR
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