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MT47H256M4HQ-3E

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 深圳市金嘉旭贸易有限公司
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  • 深圳市一线半导体有限公司
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MT47H256M4HQ-3E 技术参数
  • MT47H256M4HQ-3:E TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 3NS 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI MT47H256M4HQ-187E:E TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60VFBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 标准包装:84 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 ZBT 存储容量:4.5M(128K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:119-BGA 供应商设备封装:119-PBGA(14x22) 包装:托盘 其它名称:71V3557SA75BGI MT47H256M4CF-3:H TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MX4 DDR2 SDRAM PLASTIC PBF FBGA 1.8V - Tape and Reel 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 3NS 60FBGA MT47H256M4CF-3:H 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR) MT47H256M4CF-3 IT:H 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR) MT47H256M8EB-25E XIT:C TR MT47H256M8EB-25E:C MT47H256M8EB-25E:C TR MT47H256M8THN-25E IT:H MT47H256M8THN-25E:H MT47H256M8THN-25E:H TR MT47H256M8THN-25E:M MT47H256M8THN-25E:M TR MT47H256M8THN-3 IT:H MT47H256M8THN-3:H MT47H256M8THN-3:H TR MT47H32M16BN-25:D TR MT47H32M16BN-25E IT:D TR MT47H32M16BN-25E:D TR MT47H32M16BN-3 IT:D TR MT47H32M16BN-3:D TR MT47H32M16BN-37E IT:D TR MT47H32M16BN-37E:D TR
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