MUR6030BCT

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MUR6030BCT 技术参数

MUR5010R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 100V 50A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:50A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 50A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5 MUR5010 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 50A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:50A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 50A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5 MUR2X100A04 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:90ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 400V 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 MUR2X100A02 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 200V 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 MUR2X060A06 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:120A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 60A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:90ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 600V 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 MUR7040R MUR7060 MUR7060R MUR805 MUR805G MUR810 MUR8100E MUR8100EG MUR810G MUR815 MUR815G MUR820 MUR820 C0G MUR820G MUR820HC0G MUR840 MUR840 C0G MUR840G