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MURD312

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  • MURD312
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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
    深圳市时兴宇电子有限公司

    联系人:彭先生

    电话:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G

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  • MURD312T4
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

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  • MURD312T4
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:86-755-8450174913760200702

    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质:营业执照

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  • MURD312
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

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MURD312 技术参数
  • MUR7020 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 70A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):70A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 70A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5 MUR5010R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 100V 50A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准型, 反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):50A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 50A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5 MUR5010 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 50A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):50A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 50A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5 MUR2X100A04 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):200A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.3V @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):90ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 400V 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 MUR2X100A02 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管配置:2 个独立式 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):200A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 200V 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 MURD620CT MURD620CT1 MURD620CTG MURD620CTT4 MURD620CTT4G MURD620CTTR MURD620CTTRL MURD620CTTRR MURF10005 MURF10005R MURF10010 MURF10010R MURF10020 MURF10020R MURF10040 MURF10040R MURF10060 MURF10060R
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