MURF2020CT

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MURF2020CT 整流器件
深圳市三砖科技有限公司
深圳市三砖科技有限公司
联系人：黄先生
电话：18823887255
地址：赛格科技园4栋西10楼C座
资质：营业执照
0
2025+
TO-220F
13500
-
全新原装现货，价格优势，假一罚十

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MURF2020CT 技术参数

MUR7020 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 70A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:70A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 70A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5 MUR5010R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 100V 50A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:50A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 50A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5 MUR5010 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 50A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 电流 - 平均整流（Io）:50A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 50A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:底座，接线柱安装封装/外壳:DO-203AB，DO-5，接线柱供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5 MUR2X100A04 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:90ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 400V 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 MUR2X100A02 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:2 个独立式二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:200A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 100A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 200V 安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:10 MURF30060R MURF40005 MURF40005R MURF40010 MURF40010R MURF40020 MURF40020R MURF40040 MURF40040R MURF40060 MURF40060R MURF550PFG MURF860 MURF860G MURF8L60 C0G MURF8L60HC0G MURH10005 MURH10005R