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MURT20060PLR

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  • 深圳市艾飞琪电子科技有限公司
    深圳市艾飞琪电子科技有限公司

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MURT20060PLR 技术参数
  • MURS320TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A SMC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AB,SMC 供应商器件封装:SMC(DO-214AB) 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 MURS120TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SMB 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 200V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA,SMB 供应商器件封装:SMB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 MURF860 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 电流 - 平均整流(Io):8A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):2.2V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 绝缘,TO-220AC 供应商器件封装:ITO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MUR7020 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 70A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 电流 - 平均整流(Io):70A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 70A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5 MUR5010R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 100V 50A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 二极管类型:标准型, 反极性 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io):50A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1V @ 50A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):75ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 时的电容:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AB,DO-5,接线柱 供应商器件封装:DO-5 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5 MURT30060 MURT30060R MURT40005 MURT40005R MURT40010 MURT40010R MURT40020 MURT40020R MURT40040 MURT40040R MURT40060 MURT40060R MURTA200120 MURTA200120R MURTA20020 MURTA20020R MURTA20040 MURTA20040R
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