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MXLCE110ATRE3

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MXLCE110ATRE3 技术参数
  • MXLCE110AE3 功能描述:TVS DIODE 110VWM 178VC CASE1 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):110V 电压 - 击穿(最小值):122V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:178V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):8.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:90pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 供应商器件封装:CASE-1 标准包装:1 MXLCE110A 功能描述:TVS DIODE 110VWM 178VC CASE1 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):110V 电压 - 击穿(最小值):122V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:178V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):8.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:90pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 供应商器件封装:CASE-1 标准包装:1 MXLCE10AE3 功能描述:TVS DIODE 10VWM 17VC CASE1 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:17V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):88A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:100pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 供应商器件封装:CASE-1 标准包装:1 MXLCE10A 功能描述:TVS DIODE 10VWM 17VC CASE1 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:17V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):88A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:100pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 供应商器件封装:CASE-1 标准包装:1 MXLCE100AE3 功能描述:TVS DIODE 100VWM 162VC CASE1 制造商:microsemi ire division 系列:军用,MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:在售 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态(典型值):100V 电压 - 击穿(最小值):111V 电压 - 箝位(最大值)@ Ipp:162V 电流 - 峰值脉冲(10/1000μs):9.3A 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW) 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:90pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向 供应商器件封装:CASE-1 标准包装:1 MXLCE13AE3 MXLCE14A MXLCE14AE3 MXLCE150A MXLCE150AE3 MXLCE15A MXLCE15AE3 MXLCE160A MXLCE160AE3 MXLCE16A MXLCE16AE3 MXLCE170A MXLCE170AE3 MXLCE17A MXLCE17AE3 MXLCE18A MXLCE18AE3 MXLCE20A
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