MXLCE54E3TR

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MXLCE54E3TR 技术参数

MXLCE54AE3 功能描述:TVS DIODE 54VWM 87.1VC CASE1 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:87.1V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:17.2A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:100pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向供应商器件封装:CASE-1 标准包装:1 MXLCE54A 功能描述:TVS DIODE 54VWM 87.1VC CASE1 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:87.1V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:17.2A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:100pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向供应商器件封装:CASE-1 标准包装:1 MXLCE51AE3 功能描述:TVS DIODE 51VWM 82.4VC CASE1 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:51V 电压 - 击穿（最小值）:56.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:82.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:18.2A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:100pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向供应商器件封装:CASE-1 标准包装:1 MXLCE51A 功能描述:TVS DIODE 51VWM 82.4VC CASE1 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:51V 电压 - 击穿（最小值）:56.7V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:82.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:18.2A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:100pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向供应商器件封装:CASE-1 标准包装:1 MXLCE48AE3 功能描述:TVS DIODE 48VWM 77.4VC CASE1 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:48V 电压 - 击穿（最小值）:53.3V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:77.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:19.4A 功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:100pF @ 1MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AA，DO-27，轴向供应商器件封装:CASE-1 标准包装:1 MXLCE7.0AE3 MXLCE7.5A MXLCE7.5AE3 MXLCE70A MXLCE70AE3 MXLCE75A MXLCE75AE3 MXLCE8.0A MXLCE8.0AE3 MXLCE8.5A MXLCE8.5AE3 MXLCE80A MXLCE80AE3 MXLCE9.0A MXLCE9.0AE3 MXLCE90A MXLCE90AE3 MXLLCE100A