MXLSMBJ20CATR

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MXLSMBJ20CATR 技术参数

MXLSMBJ20CAE3 功能描述:TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:32.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:18.5A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA）标准包装:1 MXLSMBJ20CA 功能描述:TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:32.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:18.5A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA）标准包装:1 MXLSMBJ20AE3 功能描述:TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:32.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:18.5A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA）标准包装:1 MXLSMBJ20A 功能描述:TVS DIODE 20VWM 32.4VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:32.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:18.5A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA）标准包装:1 MXLSMBJ18CAE3 功能描述:TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:- 双向通道:1 电压 - 反向关态（典型值）:18V 电压 - 击穿（最小值）:20V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:29.2V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:20.5A 功率 - 峰值脉冲:600W 电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA）标准包装:1 MXLSMBJ26AE3 MXLSMBJ26CA MXLSMBJ26CAE3 MXLSMBJ28A MXLSMBJ28AE3 MXLSMBJ28CA MXLSMBJ28CAE3 MXLSMBJ2K3.0 MXLSMBJ2K3.0E3 MXLSMBJ2K3.3 MXLSMBJ2K3.3E3 MXLSMBJ2K4.0 MXLSMBJ2K4.0E3 MXLSMBJ2K4.5 MXLSMBJ2K4.5E3 MXLSMBJ2K5.0 MXLSMBJ2K5.0E3 MXLSMBJ30A