N01L63W3AB25IT

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制造商
ONSEMI
制造商全称
ON Semiconductor
功能描述
1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 64K ?? 16 bit

N01L63W3AB25IT 技术参数

N01L63W3AB25I 功能描述:静态随机存取存储器 1MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray N01L63W2AT25I 功能描述:静态随机存取存储器 1MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray N01L63W2AB25I 功能描述:静态随机存取存储器 1MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray N0118GA,412 功能描述:SCR SENS 600V 800MA SOT54 制造商:ween semiconductors 系列:- 包装:散装零件状态:在售电压 - 断态:600V 电压 - 栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流 - 栅极触发（Igt）（最大值）:7μA 电压 - 通态（Vtm）（最大值）:1.95V 电流 - 通态（It（AV））（最大值）:510mA 电流 - 通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电流 - 保持（Ih）（最大值）:5mA 电流 - 断态（最大值）:10μA 电流 - 不重复浪涌 50，60Hz（Itsm）:8A，9A SCR 类型:灵敏栅极工作温度:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92 基本零件编号:* 标准包装:10,000 N01 080 6501 001 功能描述:TERM PWR ELEMENT SHANK 24PIN PCB 制造商:amphenol sine systems corp 系列:board|mate? 零件状态:在售端子类型:手柄终端螺丝尺寸:- 端接:压接，焊接引脚数:24 安装类型:通孔特性:不包括螺钉触头镀层:- 触头材料:- 材料 - 绝缘:- 螺丝材料:- 螺丝镀层:- 标准包装:100 N01S830BAT22I N01S830BAT22IT N01S830HAT22I N01S830HAT22IT N02 036 6109 002 N02 036 6109 002 C N02 036 6110 001 N02 036 6111 001 N02 036 6126 001 N02 036 6126 001 C N02 036 6136 002 N02 036 6137 002 N02 036 6501 001 N02 036 6601 002 N02 060 6114 001 N02 060 6117 001 N02 060 6118 001 N02 060 6120 002