N01L83W2AT5I

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制造商
ONSEMI
制造商全称
ON Semiconductor
功能描述
1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128K × 8 bit

N01L83W2AT5I 技术参数

N01L83W2AT25IT 功能描述:静态随机存取存储器 1MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray N01L83W2AT25I 功能描述:静态随机存取存储器 1MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray N01L83W2AN5I 功能描述:静态随机存取存储器 1MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray N01L83W2AN25IT 功能描述:静态随机存取存储器 1MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray N01L83W2AN25I 功能描述:静态随机存取存储器 1MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray N02 036 6111 001 N02 036 6126 001 N02 036 6126 001 C N02 036 6136 002 N02 036 6137 002 N02 036 6501 001 N02 036 6601 002 N02 060 6114 001 N02 060 6117 001 N02 060 6118 001 N02 060 6120 002 N02 060 6120 002 L N02 060 6121 002 N02 060 6121 002 L N02 060 6164 002 N02 060 6165 002 N02 060 6601 002 N02 080 6103 002