N64T1630C1BZ

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制造商
NANOAMP
制造商全称
NANOAMP
功能描述
64Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS PSRAM 4M 】 16 Bits

N64T1630C1BZ 技术参数

N64S830HAT22I 功能描述:静态随机存取存储器 64KB 3V SERIAL 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray N64S830HAS22IT 制造商:ON Semiconductor 功能描述:GENERAL SALES (ULP) - Tape and Reel N64S830HAS22I 功能描述:静态随机存取存储器 64KB 3V SERIAL 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray N64S818HAT21I 功能描述:静态随机存取存储器 64KB 1.8V SERIAL 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray N64S818HAS21I 功能描述:静态随机存取存储器 64KB 1.8V SERIAL 静态随机存取存储器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray N681386DG TR N681386EVM N681386YG N681386YG TR N681387DG N681387DG TR N681387YG N681387YG TR N681622YG N681622YG TR N682386EVM N682386MG N682386MG TR N682386YG N682386YG TR N682387MG N682387MG TR N682387YG