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NAND01GW3B2BZA6F

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  • 深圳市欧和宁电子有限公司
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  • 深圳市大源实业科技有限公司
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
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  • 聚芯优品（深圳）控股集团有限公司
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  • 制造商
  • Micron Technology Inc
  • 功能描述
  • Flash Mem Parallel 3V/3.3V 1G-Bit 128M x 8 25us 63-Pin VFBGA T/R
NAND01GW3B2BZA6F 技术参数
  • NAND01GW3B2BZA6E 功能描述:闪存 1 Gbit 2Gbit 2112b 1/8 V/3 V NFM RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND01GW3B2AZA6E 功能描述:闪存 NAND MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND01GW3B2AN6F 功能描述:闪存 NAND 1 GB RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND01GW3B2AN6E 功能描述:闪存 2.7-3.6V 1G (128Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel NAND01GW3A2AN6E 功能描述:IC FLASH 1GBIT 48TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 NAND02GW3B2DZA6E NAND04GR3B2DN6E NAND04GW3B2DN6E NAND04GW3C2BN6E NAND08GAH0BZA5E NAND08GAH0FZC5E NAND08GAH0JZC5E NAND08GW3C2BN6E NAND08GW3D2AN6E NAND08GW3F2AN6E NAND128W3A0AN6 NAND128W3A0AN6E NAND128W3A0AN6F NAND128W3A0BN6E NAND128W3A0BN6F NAND128W3A0BN6F TR NAND128W3A2BN6E NAND128W3A2BN6F
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