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NCP5106BDR2G/EG12521

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NCP5106BDR2G/EG12521
深圳市佳鑫特电子有限公司
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联系人：陈
电话：134105056520755-83512964
地址：深圳市福田区佳和大厦B座2311
800000
EG品牌替代
SOP8
23+
-
EG专营原装正品

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NCP5106BDR2G/EG12521 技术参数

NCP5106BDR2G 功能描述:功率驱动器IC HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP5106APG 功能描述:功率驱动器IC HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP5106ADR2G 功能描述:功率驱动器IC HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP5104PG 功能描述:功率驱动器IC NCP5104 RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP5104DR2G 功能描述:功率驱动器IC NCP5104 RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP51145PDR2G NCP51190MNTAG NCP51198PDR2G NCP51199PDR2G NCP511SN15T1 NCP511SN15T1G NCP511SN18T1 NCP511SN18T1G NCP511SN25T1 NCP511SN25T1G NCP511SN27T1 NCP511SN27T1G NCP511SN28T1 NCP511SN28T1G NCP511SN30T1 NCP511SN30T1G NCP511SN33T1 NCP511SN33T1G