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NCP5372MNR2G

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NCP5372MNR2G
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖先生
电话：13612973190
地址：广东省深圳市华强北上航大厦西座410室
9000
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制造商
ON Semiconductor
功能描述

NCP5372MNR2G 技术参数

NCP5371MNR2G 功能描述:IC PWR CTLR 2PHASE 48-QFN RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - 电源管理 - 专用系列:- 应用说明:Ultrasound Imaging Systems Application Note 产品培训模块:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 标准包装:37 系列:- 应用:医疗用超声波成像，声纳电流 - 电源:- 电源电压:2.37 V ~ 6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:56-WFQFN 裸露焊盘供应商设备封装:56-TQFN-EP（8x8）包装:管件 NCP5369MNTWG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:INTEGRATED DRMOS - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / INTEGRATED DRMOS NCP5369MNR2G 功能描述:功率驱动器IC INTEGRATED DRIVER MOSFET RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP5366MNR2G 功能描述:功率驱动器IC INTEGRATED DRIVER MOSFET RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP5360RMNR2G 功能描述:功率驱动器IC INTEGRATED DRIVER MOSFET RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCP5386BMNR2G NCP5386MNR2G NCP5387MNR2G NCP5388MNR2G NCP5389MNR2G NCP5391MNR2G NCP5392EMNR2G NCP5392HMNR2G NCP5392MNR2G NCP5392PMNR2G NCP5392QMNR2G NCP5392TMNR2G NCP5393AMNR2G NCP5393BMNR2G NCP5393MNR2G NCP5395GMNR2G NCP5395MNR2G NCP5395TMNR2G