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NCV8405TT1G

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NCV8405TT1G
深圳市源运电子商行
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联系人：林先生
电话：15913992480
地址：深圳市龙岗区板田街道荔园新村55栋1楼
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NCV8405TT1G 技术参数

NCV8405STT3G 功能描述:MOSFET SELF-PROTECTED FET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NCV8405STT1G 功能描述:MOSFET SELF-PROTECTED FET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NCV8405ASTT3G 功能描述:IC DRIVER LOW SIDE SOT-223-4 RoHS:是类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关系列:- 标准包装:1 系列:- 类型:高端输入类型:非反相输出数:1 导通状态电阻:85 毫欧电流 - 输出 / 通道:2A 电流 - 峰值输出:6A 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装封装/外壳:4-UFDFN 裸露焊盘，4-TMLF? 供应商设备封装:4-TMLF?（1.2x1.6）包装:剪切带 (CT) 其它名称:576-1574-1 NCV8405ASTT1G 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED LOW SIDE F RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NCV8405ADTRKG 功能描述:MOSFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NCV8440STT1G NCV8440STT3G NCV8445DR2G NCV8450ASTT3G NCV8450STT3G NCV8452STT1G NCV8452STT3G NCV8460ADR2G NCV8461DR2G NCV8501D100 NCV8501D100G NCV8501D100R2 NCV8501D100R2G NCV8501D25 NCV8501D25G NCV8501D25R2 NCV8501D25R2G NCV8501D33