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NCV8412ASTT3G

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  • 深圳市华创欧科技有限公司
    深圳市华创欧科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:2394575513590206539

    地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

  • 29100

  • ON

  • SOT-223

  • 2022+

  • -
  • 十年芯途,只做原装,实单可以支持。075...

  • NCV8412ASTT3G
    NCV8412ASTT3G

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  • 深圳市恒科翔业电子有限公司
    深圳市恒科翔业电子有限公司

    联系人:

    电话:0755-8323836017302646294

    地址:华强北路华强广场B座27D

  • 24000

  • ON/安森美

  • 22+

  • -
  • 原装正品现货,实单可谈,量大价优

  • NCV8412ASTT3G
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  • 聚芯优品(深圳)控股集团有限公司
    聚芯优品(深圳)控股集团有限公司

    联系人:邓生

    电话:1330244183018823807848

    地址:深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD双子塔.西塔3903B

    资质:营业执照

  • 2019

  • ON

  • BGA

  • 22+

  • -
  • 现货分销 自有库存 正品保障 假一罚十

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NCV8412ASTT3G 技术参数
  • NCV8408DTRKG 功能描述:MOSFET 42V 8A FULLY PROTECTED LO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NCV8406STT3G 功能描述:功率驱动器IC 65 V,6 A SINGLE N-CH RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCV8406DTRKG 功能描述:MOSFET 65V6A SINGLE N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NCV8406ASTT3G 功能描述:MOSFET 65V SMARTFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NCV8406ASTT1G 功能描述:MOSFET 65V, SMARTFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NCV8460ADR2G NCV8461DR2G NCV8501D100 NCV8501D100G NCV8501D100R2 NCV8501D100R2G NCV8501D25 NCV8501D25G NCV8501D25R2 NCV8501D25R2G NCV8501D33 NCV8501D33G NCV8501D33R2 NCV8501D33R2G NCV8501D50 NCV8501D50G NCV8501D50R2 NCV8501D50R2G
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