NCV8415STT3G

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NCV8415STT3G
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
3694
ON SEMICONDUCTOR
NA
23+
-
MOSFET

NCV8415STT3G
深圳市恒科翔业电子有限公司
深圳市恒科翔业电子有限公司
联系人：郑
电话：0755-8323836017302646294
地址：华强北路华强广场B座27D
24000
ON/安森美
22+
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原装正品现货，实单可谈，量大价优

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NCV8415STT3G 技术参数

NCV8408DTRKG 功能描述:MOSFET 42V 8A FULLY PROTECTED LO RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NCV8406STT3G 功能描述:功率驱动器IC 65 V,6 A SINGLE N-CH RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCV8406DTRKG 功能描述:MOSFET 65V6A SINGLE N-CHANNEL RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NCV8406ASTT3G 功能描述:MOSFET 65V SMARTFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NCV8406ASTT1G 功能描述:MOSFET 65V, SMARTFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NCV8460ADR2G NCV8461DR2G NCV8501D100 NCV8501D100G NCV8501D100R2 NCV8501D100R2G NCV8501D25 NCV8501D25G NCV8501D25R2 NCV8501D25R2G NCV8501D33 NCV8501D33G NCV8501D33R2 NCV8501D33R2G NCV8501D50 NCV8501D50G NCV8501D50R2 NCV8501D50R2G