NCV8460DR2G

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批号
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说明
操作

NCV8460DR2G
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：张育豪 13360528695
电话：0755-23607487
地址：深圳市福田区华富路1006号航都大厦11楼一层
资质：营业执照
7582
ON/安森美
SOIC-8
22+
-
原厂原装现货

NCV8460DR2G
聚芯优品（深圳）控股集团有限公司
聚芯优品（深圳）控股集团有限公司
联系人：邓生
电话：1330244183018823807848
地址：深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD双子塔.西塔3903B
资质：营业执照
6931
ON
BGA
23+
-
现货分销自有库存正品保障假一罚十

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1

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制造商
ONSEMI
制造商全称
ON Semiconductor
功能描述
Self Protected High Side Driver with Temperature Shutdown and Current Limit

NCV8460DR2G 技术参数

NCV8460ADR2G 功能描述:功率驱动器IC HIGH SIDE DRIVER WITH TEM RoHS:否制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube NCV8452STT3G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:40V SINGLE CHANNEL HS DRI - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / 40V SINGLE CHANNEL HS DRI NCV8452STT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:40V SINGLE CHANNEL HS DRI - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / 40V SINGLE CHANNEL HS DRI NCV8450STT3G 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED HIGH SIDE RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NCV8450ASTT3G 功能描述:电源开关 IC - 配电 NCV8450A RoHS:否制造商:Exar 输出端数量:1 开启电阻（最大值）:85 mOhms 开启时间（最大值）:400 us 关闭时间（最大值）:20 us 工作电源电压:3.2 V to 6.5 V 电源电流（最大值）: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-5 NCV8501D33 NCV8501D33G NCV8501D33R2 NCV8501D33R2G NCV8501D50 NCV8501D50G NCV8501D50R2 NCV8501D50R2G NCV8501D80 NCV8501D80G NCV8501D80R2 NCV8501D80R2G NCV8501DADJ NCV8501DADJG NCV8501DADJR2 NCV8501DADJR2G NCV8501PDW100 NCV8501PDW100G