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NIPD

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  • NIPDAU//PLASMA
    NIPDAU//PLASMA

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    现货
  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人：张育豪 13360528695

    电话：0755-23607487

    地址：深圳市福田区华富路1006号 航都大厦11楼一层

    资质：营业执照

  • 6020

  • ST/意法

  • QFP

  • 22+

  • -

  • 原厂原装现货

  • NIPDAU
    NIPDAU

    NIPDAU

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6256544762566447

    地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质：营业执照

  • 5000

  • ST

  • 15+

  • -

  • 百分百原装质量保障

  • NIPDAU
    NIPDAU

    NIPDAU

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人：赖先生

    电话：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质：营业执照

  • 5060

  • N/A

  • DIP

  • 2024+

  • -

  • 不怕你不买只怕你不问

  • NIPDAU
    NIPDAU

    NIPDAU

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人：刘先生

    电话：010-6210479162106431621045786210493162104891

    地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质：营业执照

  • 5000

  • ST

  • TQFP四面

  • 00+

  • -

  • 假一罚十，百分百原装正品

  • NIPDAU
    NIPDAU

    NIPDAU

  • 深圳市华创欧科技有限公司
    深圳市华创欧科技有限公司

    联系人：朱先生

    电话：2394575513590206539

    地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室

  • 5240

  • ST

  • TQFP

  • 2022+

  • -

  • 原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0...

  • NIPD519
    NIPD519

    NIPD519

  • 深圳市硅宇电子有限公司
    深圳市硅宇电子有限公司

    联系人：唐先生

    电话：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503

    资质：营业执照

  • 159

  • QFN-14

  • 07+

  • -

  • 原装现货/特价

  • NIPDAUAG
    NIPDAUAG

    NIPDAUAG

  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人：李女士

    电话：1530261991513762584085

    地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室

  • 2500

  • INFINEO

  • TSSOP

  • 22+

  • -

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NIPD 技术参数
  • NIMD6001ANR2G 功能描述:MOSFET 60V 3.3A 130 MOHM DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NIF62514T3G 功能描述:MOSFET 42V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NIF62514T1G 功能描述:MOSFET 42V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NIF62514T1 功能描述:MOSFET 42V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NIF5003NT3G 功能描述:MOSFET 42V 14A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube NIS5102QP2HT1G NIS5112D1R2G NIS5112D1R2G1 NIS5112D2R2G NIS5132-35GEVB NIS5132MN1-FN-7 NIS5132MN1TXG NIS5132MN2-FN-7 NIS5132MN2TXG NIS5132MN3TXG NIS5135MN1-FN-7 NIS5135MN1TXG NIS5135MN2-FN-7 NIS5135MN2TXG NIS5232-35GEVB NIS5232MN1TXG NIS5431MT1GEVB NIS5431MT1TXG
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